国家知识产权局信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制作方法”的专利，公开号CN122871644A配资一流股票配资网站，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作电阻式随机存取存储器的方法，其主要先形成一层间介电层于一基底上，然后形成一接触插塞于该层间介电层内，形成一电阻式随机存取存储器于该接触插塞上，形成一第一遮盖层以及一第二遮盖层于该电阻式随机存取存储器上，再去除部分该第二遮盖层以形成一间隙壁。
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作者：情报员
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